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MUR2100EG中文资料

MUR2100EG图片

MUR2100EG外观图

  • 大小:60.4KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: DIODE, FAST, 2A, 1000V, AXIAL; Diode Type:Fast Recovery; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:1kV; Forward Current If(AV):2A; Forward Voltage VF Max:2.2V; Reverse Recovery Time trr Max:75ns; Forward Surge Current Ifsm Max:35A; Diode Case Style:Axial Leaded; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ifsm:35A; Forward Voltage:2.2V; Junction Temperature Tj Max:175°C; Package / Case:59; Reverse Recovery Time trr Typ:75ns; Termination Type:Axial Leaded; Breakdown Voltage Max:1kV
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:单二极管/整流器
  • 系列:SWITCHMODE™
  • 二极管类型:标准
  • 电压 - (Vr)(最大):1000V(1kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io):2A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):2.2V @ 2A
  • 速度:快速恢复 = 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr):100ns
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电:10µA @ 1000V
  • 电容@ Vr, F:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向
  • 供应商设备封装:轴向
  • 包装:散装
  • 其它名称:MUR2100EG-NDMUR2100EGOS

MUR2100EG供应商

更新时间:2023-01-02 04:29:18
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